Etude du dopage par implantation ionique d'aluminium dans le carbure de silicium pour la réalisation

&RQFOXVLRQCONCLUSION GENERALEL’implantation ionique est une méthode indispensable pour la réalisation dedopages localisés dans le carbure de silicium. Elle est nécessaire par exemple pour lacréation de jonctions par inversion de type en surface pour les structures planar ou enprofondeur pour les couches enterrées, la protection des jonctions par extensionslatérales (JTE), la réalisation d’anneaux de garde et de ‘stop channel’, l’améliorationdes contacts ohmiques par dopage à forte dose, l’isolation des structures… Le recuitpost implantation joue un rôle décisif pour cette étape technologique et c’est l’un despoints clés à maîtriser afin de permettre le développement des composants depuissance en carbure de silicium.Les propriétés physiques du SiC impliquent un dopage par implantation et unrecuit post-implantation délicats, surtout pour la réalisation des couches de type p. Lastructure cristalline du SiC hexagonal (4H et 6H) offre une multitude d’axes decanalisation par rapport au faisceau ionique incident. L’optimisation du profild’impuretés implantées passe par la compréhension des phénomènes liés àl’implantation ionique en général, et en ayant une approche plus spécifique pour leSiC, matériau composé, semiconducteur à large bande interdite et très rigide. Cetteétape comprend la maîtrise des principaux points suivants : la génération des défautspendant la phase d’implantation ionique, leur évolution, leur accumulation et laformation de zones amorphes ...