Thin films of copper oxide and copper grown by atomic layer deposition for applications in metallization systems of microelectronic devices [Elektronische Ressource] = Dünne Schichten von Kupferoxid und Kupfer hergestellt mittels Atomlagenabscheidung zur Anwendung in Metallisierungssystemen mikroelektronischer Bauelemente / von: Thomas Wächtler

ThinFilmsofCopperOxideandCopperGrownbyAtomicLayerDepositionforApplicationsinMetallizationSystemsofMicroelectronicDevicesDünneSchichtenvonKupferoxidundKupferhergestelltmittelsAtomlagenabscheidungzurAnwendunginMetallisierungssystemenmikroelektronischerBauelementeVon der Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnikder Technischen Universität ChemnitzgenehmigteDissertationzur Erlangung des akademischen GradesDoktoringenieur(Dr. Ing.)vorgelegtvon: Dipl. Ing. Thomas Wächtlergeboren am: 31. Januar 1979in: Karl Marx Stadt (jetzt Chemnitz)eingereicht am: 2. Dezember 2009Gutachter: Prof. Dr. Thomas GeßnerProf. Dr. Heinrich LangProf. Dr. Thomas MikolajickTag der Verleihung: 25. Mai 2010BibliographischeBeschreibungThin Films of Copper Oxide and Copper Grown by Atomic Layer Deposition for Applications inMetallizationSystemsofMicroelectronicDevicesWächtler,Thomas–245S.,90Abb.,56Tab.,299Lit.TechnischeUniversitätChemnitz,FakultätfürElektrotechnikundInformationstechnikDissertation(inenglischerSprache),2009ReferatKupferbasierte Mehrlagenmetallisierungssysteme in heutigen hochintegrierten elektronischenSchaltkreisenerforderndieHerstellungvonDiffusionsbarrierenundleitfähigenKeimschichtenfürdie galvanische Metallabscheidung. Diese Schichten von nur wenigen Nanometern Dicke müssenkonform und fehlerfrei in strukturierten Dielektrika abgeschieden werden.