Etude et Modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe. Application à la conception

Conclusion Générale - 192 - Conclusion Générale Le travail présenté dans ce mémoire est une contribution à la conception en technologie silicium d'oscillateurs locaux pour les applications radiofréquences. Via d’une part l'étude et la modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe de la filière BiCMOS 6G 0.35 µm de STMicroelectronics, et d'autre part l'optimisation d'un oscillateur contrôlé en tension fonctionnant à 5 GHz, ce travail est essentiellement axé sur l'étude des phénomènes de bruit électrique basse fréquence de TBH et sur leur impact pour la conception d’oscillateurs micro-ondes intégrés. Après avoir rappelé le principe de fonctionnement des transistors bipolaires et donné ses principales caractéristiques électriques physiques, nous avons présenté dans le premier chapitre les spécificités technologiques et les performances des TBH SiGe de la filière BiCMOS 6G 0.35 µm de STMicroelectronics. Dans le second chapitre, nous nous sommes intéressés à la caractérisation et à la modélisation du bruit basse fréquence dans les transistors bipolaires. Après avoir abordé les différentes techniques existantes de mesure de bruit BF, nous nous sommes focalisés sur la mesure des sources de bruit équivalentes de la représentation parallèle, S et S , permettant une caractérisation complète et IB ICphysique des dispositifs bipolaires. Nous avons présenté en détail le banc de ...