Etude en radiofréquences de transistors à effet de champ MOS partiellement désertés en technologie

ETUDE MICRO-ONDES DES MOSFET SOI PARTIELLEMENT DESERTES Chapitre IV : Etude micro-ondes des MOSFET SOI partiellement désertés Les chapitres précédents traitent des techniques de caractérisation des dispositifs actifs dans les micro-ondes. Les méthodes étudiées sont appliquées sur les résultats de mesure des MOSFET SOI partiellement désertés, afin d'obtenir les paramètres caractéristiques d'un modèle de leur comportement physique le plus représentatif. La particularité de ces techniques est de fournir également des informations sur les sources de bruit intrinsèques. Dans ce chapitre, toutes ces informations vont être exploitées afin de révéler le comportement des MOSFET SOI partiellement désertés à ‛‛body” flottant dans les micro-ondes. Le premier phénomène physique analysé concerne les effets thermiques et leurs impacts sur le comportement des MOSFET SOI. Cette partie rappelle brièvement les notions liées à la température. À partir des méthodes existantes d'analyse thermique s'appuyant sur les paramètres dynamiques des MOSFET, les effets d'auto-échauffement dynamiques sont évalués. Leurs impacts sur le fonctionnement intrinsèque des MOSFET SOI, mais également, sur les paramètres de bruit intrinsèques sont examinés. Ensuite, la seconde partie de ce chapitre traite des effets liés au potentiel flottant de la zone ‛‛body”. Leurs conséquences sur le comportement statique des MOSFET SOI partiellement désertés sont expliquées brièvement au premier chapitre. ...