Chapitre I : La technologie SOI 130 nm

LA TECHNOLOGIE SOI 130 nm Chapitre I : La technologie SOI 130 nm L'introduction de ce mémoire présente, succinctement, plusieurs technologies disponibles pour la réalisation de circuits analogiques micro-ondes. Pour des raisons de coût et de temps de mise sur le marché, la technologie SOI devient une alternative économique aux systèmes réalisés à base d'arséniure de gallium. Afin de mieux appréhender les qualités mais également les défauts de la technologie Silicium-Sur-Isolant 130 nm, ce chapitre se propose de la présenter en s'appuyant sur des résultats de mesure obtenus pour des MOSFET SOI partiellement désertés polarisés en statique. La première partie de ce chapitre décrit la technologie utilisée au cours de cette étude. La distinction physique entre les MOSFET SOI complètement déserté et les MOSFET SOI partiellement déserté est donnée afin d'introduire ce dernier. À partir des équations de base des MOSFET sur substrat massif, transposables aux MOSFEST SOI partiellement déserté, la seconde partie de ce chapitre détaille le comportement et la modélisation de ces dispositifs en fonction de la polarisation statique. Dans cette partie, les phénomènes parasites sont également abordés. La dernière partie de ce chapitre expose les effets physiques propre à la technologie SOI. De part sa structure, la technologie Silicium-Sur-Isolant contient une zone isolante enterrée dans le substrat. Par rapport à une technologie silicium sur substrat massif, celle-ci ...