Étude expérimentale et théorique de microcaloducs et technologie silicium

ANNEXES 149Annexes Annexe A : Assemblage des plaquettes silicium A.1. Nettoyage des plaquettes Cette étape est d’une importance fondamentale pour réussir l’assemblage de plaquettes. Le procédé utilisé doit permettre d’enlever toute impureté des surfaces à assembler. Le tableau A.1 donne les paramètres des traitements subis par les plaquettes, ainsi que l’effet supposé de chaque étape sur les surfaces (Boussey, 2001). Température Solutions Composition des Effet présumé / d’utilisation Durée par étape solutions en volume Remarques (°C) Acide HF : DI-H O 2Enlèvement de fluorhydrique 1:10 28 15 s l’oxyde natif + Eau DI HF grade CMOS, 50 % Formation d’un film d’oxyde de Acide H SO : H O 1-2 nm 2 4 2 2 Solution sulfurique + 1 : 1 encapsulant des naturellement 10 min Peroxyde impuretés exothermique d’hydrogène Produits gamme CMOS organiques et métalliques en surface Rinçage dans l’eau désionisée suivi d’un séchage en centrifugeuse sous azote Résistivité de l’eau désionisée après rinçage doit être supérieure à 15 M Ω.cm. Enlèvement d’impuretés NH OH : H O : DI H O 4 2 2 2organiques et 1 : 1 : 5 15 – 20 RCA 75 - 80 autres métaux. NH OH grade CMOS, min 4Formation d’un 29 % film fin d’oxyde hydrophile Acide HF : DI – H O Pour un collage 2fluorhydrique 1 : 10 28 15 s de tranches Si – + Eau DI HF grade CMOS, 50 % Si seulement Rinçage de l’eau désionisée suivi d’un séchage en centrifugeuse sous azote. ...