Etude et Modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe. Application à la conception

Introduction Générale Introduction générale Fort de l'expérience acquise dans l'évaluation du potentiel de dispositifs avancés compatibles avec les technologies CMOS et BiCMOS aux niveaux de la technologie et de la physique des composants, le Laboratoire Physique de la Matière (LPM) a décidé d'étendre ses relations avec l'industrie à la caractérisation et à la modélisation de transistors micro-ondes pour les applications radiocommunications. L'équipe radio-fréquence (RF), créée depuis 2000, s'appuie donc sur des savoir-faire en Micro-Nanoélectronique silicium et les développe dans certaines directions. Par exemple, l'étude en bruit basse fréquence, qui est nécessaire vis-à-vis de la fiabilité des dispositifs, est à prendre en compte dès le début, pour insérer ce "deuxième ordre" dans les modèles composants, radio-fréquences ou micro-ondes. En effet, les industriels, depuis quelques années, sont "demandeurs" de modèles compacts qui introduisent "plus de physique". L'ajustement "au tournevis" est devenu fastidieux, voire même rédhibitoire. Nous avons donc décidé d'orienter nos travaux de recherche au niveau de l'interface composant/circuit pour développer une méthodologie qui doit favoriser l'obtention de modèles compacts fiables utilisables en CAO, via l'expérimentation et les modélisations microscopiques, physiques et "device", que nous avons développées nous-mêmes, en complément de ...