Etude en radiofréquences de transistors à effet de champ MOS partiellement désertés en technologie

EVALUATION DU BRUIT DANS LES MOSFET SOI Chapitre III : Evaluation du bruit dans les MOSFET SOI À la suite du précédent chapitre qui traite des aspects caractérisations en petit signal micro-ondes des MOSFET SOI partiellement désertés, ce chapitre analyse les aspects bruit électronique dans ces dispositifs. La première partie de ce chapitre traite de l'extraction et de la modélisation des sources de bruit micro-onde dans les MOSFET SOI partiellement désertés. Ainsi, à partir des différents modèles qui permettent d'expliquer le comportement en bruit des transistors à partir de l'estimation des sources de bruit globales, cette partie définie les quatre paramètres de bruit, couramment employés pour caractériser le niveau de bruit des dispositifs actifs et ainsi révéler leurs performances. Le bruit électronique dans les micro-ondes nécessite l'emploie d'une technique et d'appareils spécifiques afin de mesurer et d'analyser des signaux de très faible puissance, proche de -100 dBm. Cette partie se poursuit donc sur la description de la méthodologie employée pour la mesure des niveaux de bruit dans les MOSFET SOI partiellement désertés. Ainsi, les moyens mis à disposition au niveau du banc de mesure de bruit sont évoqués. Pour finir, les méthodologies utilisées afin d'estimer les niveaux de bruit globaux dans les MOSFET SOI partiellement désertés, à partir des résultats de la mesure, sont définies à la fin de cette partie. La seconde partie de ce chapitre ...