Etude des défauts électriquement actifs dans les composants hyperfréquences de puissance dans les

Introduction Générale Introduction générale 5Introduction Générale Introduction générale Pour tous les pays, les télécommunications sont une priorité incontournable. Les rapides développements de la recherche et de l’industrialisation ont permis à un large public d’accéder aux moyens modernes de communication. Les applications civiles telles que les télécommunications par satellites, les téléphonies mobiles, l’automobile avec le radar anticollision, les transmissions de données connaissent un essor rapide grâce à la maîtrise des techniques à mettre en œuvre. Ainsi, le développement spectaculaire notamment des communications mobiles au cours des dernières années a conduit à une recherche de technologies robustes et fiables, à des coûts relativement raisonnables dans le domaine de l’électronique. Les études développées dans le cadre de nouveaux marchés militaires et civils sont à l’origine d’une évolution importante de tous les secteurs d’activités de l’électronique hyperfréquence. Cette évolution est essentiellement dirigée vers le choix de nouvelles technologies autorisant en particulier des densités de puissance importantes et l’optimisation des composants actifs, intégrés dans de nombreux systèmes. C’est dans cette optique, que depuis de nombreuses années, l’industrie des technologies hyperfréquences utilise le transistor MESFET (Metal Semiconducteur Field Effect Transistor). Jusqu'à présent, les transistors MESFETs étaient ...