Surface preparation and Mn states of (Ga,Mn)As investigated by means of soft and hard x-ray photoemission spectroscopy [Elektronische Ressource] / vorgelegt von Benjamin Schmid

Surface preparation and Mn states of(Ga,Mn)As investigated by means of soft-and hard x-ray photoemission spectroscopyDissertation zur Erlangung desnaturwissenschaftlichen Doktorgradesder Bayerischen Julius-Maximilians-Universit at Wurzbur gvorgelegt vonBenjamin Schmidaus AugsburgWurzburg 2010Eingereicht am:bei der Fakult at fur Physik und AstronomieGutachter der Dissertation:1. Gutachter: Prof. Dr. R. Claessen2. Gutachter: Prof. Dr. K. BrunnerPrufer im Promotionskolloquium:1. Prufer: Prof. Dr. R. Claessen2. Prufer: Prof. Dr. K. Brunner3. Prufer: Prof. Dr. E. M. HankiewiczTag des Promotionskolloquiums:Doktorurkunde ausgeh andigt am:"Ist der Soldat auf sich alleine gestellt, muss er in der Lage sein, im Sinnedes Auftrags zu handeln."Zentrale Dienstvorschrift der Bundeswehr 3/11, Gefechtsdienst aller Truppen (zu Lande),Blatt 101, Bundesministerium fur Verteidigung, Bonn (1988).Contents1 Introduction 12 Diluted magnetic semiconductors 32.1 Gallium Arsenide . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32.1.1 Physical properties of GaAs relevant for spintronic applications . 32.1.2 Natural oxide layer on GaAs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72.1.3 Thermal desorption of oxides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82.1.4 Wet-chemical etching of GaAs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92.1.5 Dry etching (ion beam etching) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132.2 Gallium Manganese Arsenide . . . . . . .