Study of resistive switching behavior in Cu doped Ge0.3Se0.7 basedsolid electrolyte for non-volatile memory applications [Elektronische Ressource] / Rohit Soni

Study of resistive switching behavior in Cu doped Ge Se based0.3 0.7solid electrolyte for non-volatile memory applicationsVon der Fakulta¨tfu¨r Georessourcen und Materialtechnikder Rheinisch-Westfa¨lischen Technischen Hochschule Aachenzur Erlangung des akademischen Grades einesDoktors der Ingenieurwissenschaftengenehmigte Dissertationvorgelegt von Master of TechnologyRohit Soniaus Ludhiana Punjab/ IndienBerichter: Univ.-Prof. Dr.rer.nat. Gu¨nter GottsteinUniv.-Prof. Dr.-Ing. Rainer WaserTag der mu¨ndlichen Pru¨fung: 04.Mai 2010”Diese Dissertation ist auf den Internetseiten der Hochschulbibliothek onlineverfuegbar.”To the memories of my father’s dreamsandTo my mother, who not only encouraged me to follow the dreamsbut also, being supportive in everything I do.KurzfassungIn der letzten Zeit haben Konzepte zur Informationsspeicherung mittels resis-tiv schaltender Speicherzellen (”resistive random access memory” (RRAM)) ver-mehrt Aufmerksamkeit in der wissenschaftlichen Gemeinschaft auf sich gezogen,da diese Speicherzellen Anwa¨rter fu¨r den Einsatz als nichtflu¨chtige Direktzugriff-sspeicher oder im Bereich von ”Crossbar”-Architekturen fu¨r logische Schaltkreisesein ko¨nnten. Der Markteinfu¨hrung derartiger RRAM-Zellen stehen trotzdemnoch einige Hindernisse entgegen. Beispielsweise wird immer noch diskutiert, wasdie mikroskopischen Ursachen fu¨r die resistiven Schaltprozesse in solchen RRAM-Zellen sind.