Stress evolution during growth of InAs on GaAs measured by an in-situ cantilever beam setup [Elektronische Ressource] / von Dongzhi Hu

Stress evolution during growth of InAs onGaAs measured by an in-situ cantilever beamsetupDISSERTATIONzur Erlangung des akademischen Gradesdoctor rerum naturalium(Dr. rer. nat.)im Fach Physikeingereicht an derMathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultät IHumboldt-Universität zu BerlinvonFrau M.Sc. Dongzhi Hugeboren am 2.10.1971 in Qixiaying, Inner Mongolia, ChinaPräsident der Humboldt-Universität zu Berlin:Prof. Dr. Christoph MarkschiesDekan der Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultät I:Prof. Dr. Christian LimbergGutachter:1. Prof. Dr. Klaus H. Ploog2. Prof. Dr. W. Ted Masselink3. Prof. Dr. Eric Tourniéeingereicht am: 31. August 2006Tag der mündlichen Prüfung: 13. Februar 2007ZusammenfassungDer Einfluss der Verspannung während des Wachstums von InAs auf GaAsmittels Molekularstrahlepitaxie wird in dieser Arbeit untersucht. Eine Biege-balkenapparatur wurde benutzt, um den Verlauf der Filmkraft während desWachstums und dem nachfolgenden Anlassen bei Wachstumstemperaturenzu messen. Die Steigung in einer Darstellung von Filmkraft gegen Filmdickeist gleich der Verspannung, die sich während des heteroepitaktischen Wachs-tums bildet. Filmkraft-Kurven wurden während des InAs Wachstums unterAs-reichen und In-reichen Bedingungen gemessen. Das Wachstum unter As-reichen Bedingungen verläuft im Stranski-Krastanov Modus, d. h. es bildensich Quantenpunkte auf einer Benetzungsschicht.