Spin-spin interactions of localized electronic states in semiconductors [Elektronische Ressource] / Tobias Graf

Walter Schottky InstitutZentralinstitut fur¨ physikalische Grundlagen der HalbleiterelektronikFakult¨at fur¨ Physik der Technischen Universit¨at Munc¨ henSpin-spin interactions of localizedelectronic states in semiconductorsTobias GrafVollst¨andiger Abdruck der von der Fakultat¨ fur¨ Physik der Technischen Universit¨atMunc¨ hen zur Erlangung des akademischen Grades einesDoktors der Naturwissenschaften(Dr. rer. nat.)genehmigten Dissertation.Vorsitzender: Univ.-Prof. Dr. Axel GroßPrufer¨ der Dissertation: 1. Dr. Martin Stutzmann2. Univ.-Prof. Dr. Rudolf GrossDie Dissertation wurde am 22.09.2003 bei der Technischen Universit¨at Munc¨ heneingereicht und durch die Fakult¨at fur¨ Physik am 09.12.2003 angenommen.ZusammenfassungLokalisierte elektronische Zustande treten in Halbleitern an Punktdefekten wie Fremd-¨atomen oder intrinsischen Storstellen des Kristallgitters auf. Zusatzlich zu ihrer Ladung¨ ¨besitzen solche Zust¨ande durch ungepaarte Spins in vielen F¨allen ein magnetisches Mo-ment. Die Vermeidung der haufig schadlichen Defekte und das gezielte Einbringen von¨ ¨Dotieratomenermog¨ lichtinHalbleiterndieRealisierungeinerVielzahlvonelektronischenBauelementen. Eine vergleichbar prazise¨ Kontrolle der Spineigenschaften wird im Fallvon Metallen seit langem angewendet, wahrend die Realisierung von spinbasierten Halb-¨leiterbauelementen noch immer Gegenstand intensiver Forschung ist.