Spatially resolved electronic and optoelectronic measurements of pentacene thin film transistors [Elektronische Ressource] / vorgelegt von Matthias Fiebig

Spatially resolved electronic andoptoelectronic measurements ofpentacene thin lm transistorsMatthias FiebigMunchen 2010Spatially resolved electronic andoptoelectronic measurements ofpentacene thin lm transistorsMatthias FiebigDissertationan der Fakult at fur Physikder Ludwig{Maximilians{Universit atMunc henvorgelegt vonMatthias Fiebigaus Munc henMunc hen, den 07.09.2010Erstgutachter: PD Dr. B. NickelZweitgutachter: Prof. Dr. J. P. KotthausTag der mundlic hen Prufung: 18.10.2010ContentsZusammenfassung xiiiAbstract xv1 Introduction 12 Basics of eld e ect devices 52.1 Metal-semiconductor-junction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52.1.1 Formation of an ideal MS-junction . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52.1.2 Depletion layer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72.1.3 Formation of a surface charge dominated junction . . . . . . . . . . 82.2 Metal-insulator-semiconductor-junction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112.2.1 Formation of MIS-junction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112.2.2 Ideal MIS-junction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112.2.3 Surface space-charge region . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132.3 Thin lm transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162.3.1 Principle of a TFT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162.3.2 Current-voltage characteristic . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .