Sn-Sb-Se based binary and ternary alloys for phase change memory applications [Elektronische Ressource] / vorgelegt von Kyung-Min Chung

Sn-Sb-Se based binary and ternary alloysfor phase change memory applicationsVon der Fakultat fur Mathematik, Informatik undNaturwissenschaften der Rheinisch-Westfalischen TechnischenHochschule Aachen zur Erlangung des akademischen Grades einesDoktors der Naturwissenschaften genehmigte Dissertationvorgelegt vonKyung-Min ChungM.Sc.aus Seoul, KoreaBerichter: Universitatsprofessor Dr. Matthias WuttigUniversitatsprofessor Dr. Gero von PlessenTag der mundl ichen Prufung: 28 October 2008Diese Dissertation ist auf den Internetseitender Hochschulbibliothek online verfugbarContentsList of Tables VList of Figures VIAbstract XZusammenfassung XIII1 Introduction 11.1 Modern computer data storage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11.2 Memory technologies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41.3 Emerging non-volatile memory technologies . . . . . . . . . . . . . . . . . 61.3.1 MRAM (Magnetic Random Access Memory) . . . . . . . . . . . . . 61.3.2 FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) . . . . . . . . . . . 71.3.3 PCRAM (Phase Change Random Access Memory) . . . . . . . . . 81.4 Challenges in PCRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111.5 Development of phase change materials . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141.6 Goals of this study . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152 Theoretical background 172.1 Thermal Evaporation . . . . . . . . . . . . . . . . . . .