-
25
pages
-
Français
-
Documents
Description
Chapitre 2 Structures d’étude et Techniques de caractérisation 2 Structures d’étude et Techniques de caractérisation 2.1 Introduction 2.2 Méthodes de fabrication des structures de Si contraint 2.2.1 Structures de Si contraint fabriquées par SOITEC 2.2.2 Structures à puits quantique de Si contraint 2.3 Techniques expérimentales de mesures 2.3.1 Spectroscopie Raman 2.3.2 Spectroscopie de photoluminescence (PL) 2.3.3 Spectroscopie de photoréflectance (PR) 2.4 Conclusions 2.5 Bibliographie 47 Chapitre 2 Structures d’étude et Techniques de caractérisation 48 Chapitre 2 Structures d’étude et Techniques de caractérisation 2.1 Introduction Afin d’étudier les propriétés physiques des couches de Si contraint nous avons travaillé sur une approche d’élaboration de structures qui consiste en une couche contrainte de Si sur isolant (ou sSOI: strained Silicon-on-insulator) réalisée par SOITEC. Au cours de ce chapitre, nous détaillons les caractéristiques des différents échantillons étudiés et en même temps nous décrivons les méthodes de fabrications pour l’obtention des échantillons utilisés dans ce ...
-
Publié par
-
Langue
Français