Etude par spectroscopie optique des propriétés physiques des couches nanométriques de Si contraint

Sommaire SOMMAIRE Introduction…………………………………………………………………………… 1 Chapitre 1: Propriétés physique, électronique et applications du Si contraint 1.1. Introduction………………………………............................................................ 9 1.2. Le silicium contraint………………………………………………………….. 10 1.2.1. Définition…………………………………………………………………... 10 1.2.1. Les bénéfices du Si contraint………………………………………………. 11 1.3. Ingénierie des contraintes……………………………………….…………… 12 1.3.1. Contrainte uni-axiale générée par des procédés de fabrication des dispositifs………………………………………………………………….. 12 1.3.1.1. Contraintes générées par le procédé STI (Shallow Trench Isolant)… 13 1.3.1.2. Contraintes imposées par des couches de siliciure………………….. 13 1.3.1.3. SiGe ou SiC enterré dans les régions de source et drain……………. 14 N ………………………….... 15 1.3.1.4 Couche capa de nitrure de silicium Si3 41.3.2. Contrainte bi-axiale induite dans les couches de Si………………………... 15 1.4. Propriétés physiques du Si contraint……………………………………... 17 1.4.1. Déformation élastique……………………………………………………... 17 1.4.1.1. Paramètre de maille de l’alliage SiGe …………………………….... 17 1.4.2. Epaisseur critique………………………………………………………….. 19 1.4.2.1. Epaisseur critique du Si contraint…………………………………… 20 1.4.2.2. Relaxation dans les couches de Si contraint………………………… 20 1.4.2.3. Déformation plastique…..…………………………………………... 22 1.5. Influence de la contrainte sur la structure de bandes du Si……..... ...