Etude et Modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe. Application à la conception

Chapitre IV Etude d’un Oscillateur Contrôlé en Tension (OCT) MMIC à base de TBH Si/SiGe - 134 - Chapitre IV : Etude d’un oscillateur contrôlé en tension (OCT) MMIC à base de TBH Si/SiGe 1 Introduction Dans les circuits d’émission-réception radio-fréquences, la pureté spectrale de l’oscillateur local est le paramètre limitatif de la qualité des liaisons puisque son bruit se superpose au signal utile. De ce fait, le développement des systèmes de télécommunications exige de prendre un maximum de précautions dès la phase de conception des sources micro-ondes, afin de permettre l’amélioration de leur pureté spectrale imposée par les besoins toujours croissants en terme de débit et de bande passante. Ce chapitre met donc tout naturellement l’accent sur le bruit de phase dans les oscillateurs. Nous exposons notamment les principaux modèles qui tentent d’expliquer et de quantifier les phénomènes physiques complexes qui lui donnent naissance. Ce chapitre présente également un OCT entièrement intégré à 5 GHz réalisé en technologie BICMOS 6G 0.35µm sur lequel nous avons travaillé. Cet OCT utilise un circuit résonant LC et est basé sur une structure différentielle à deux transistors croisés. La conception initiale de cet oscillateur a été réalisée par France Telecom R&D en collaboration avec STMicroelectronics dans le cadre du projet ARGOS. Notre étude a consisté à travailler sur une optimisation ...