Etude en radiofréquences de transistors à effet de champ MOS partiellement désertés en technologie

METHODE DE CARACTERISATION MICRO-ONDES DES MOSFET SOI Chapitre II : Méthode de caractérisation micro-ondes des MOSFET SOI Le chapitre précédent introduit les principales notions relatives au MOSFET et à son fonctionnement en polarisation statique. Après avoir décrit le comportement général des MOSFET SOI, les phénomènes physiques intrinsèques dominants lorsque les dimensions du transistor diminuent sont explicités ainsi que les effets liés à la structure SOI. Ainsi, le chapitre précédent indique les zones de fonctionnement où la théorie classique des transistors à canal long ne s'applique plus. Le chapitre IV s'appuiera sur cette étude et les résultats de mesure afin d'évaluer les interactions entre les phénomènes physiques liés au MOSFET SOI partiellement déserté et son comportement en régime analogique petit signal micro-ondes. Auparavant, il est nécessaire de donner des éléments d'information concernant les techniques de mesure et de caractérisation des MOSFET SOI fonctionnant dans le domaine des micro-ondes. Par conséquent, le premier objectif de ce chapitre est d'expliquer la méthode retenue pour la mesure des caractéristiques des MOSFET SOI dans les micro-ondes parmi les méthodes de mesure des dispositifs en petit signal. Cette méthode est décrite dans la première partie de ce chapitre. Ensuite, à partir des résultats de mesure, il est nécessaire de caractériser la structure du MOSFET SOI partiellement déserté par rapport à un modèle ...