Etude des défauts profonds : RESULTATS EXPERIMENTAUX

Chapitre III Etude des Défauts profonds dans les MESFETs 4H-SiC Chapitre III : RESULTATS EXPERIMENTAUX 81Chapitre III Etude des Défauts profonds dans les MESFETs 4H-SiC PARTIE A : ETUDE DES DEFAUTS PROFONDS DANS LES MESFETs 4H-SiC III.1 Introduction Tous les composants à base de carbure de silicium (SiC) ont des propriétés communes qui les rend extrêmement intéressants du point de vue de l’électronique de puissance : c’est leur capacité à pouvoir opérer à haute température et sous forte tension inverse. Il existe également d’autres types d’applications pour SiC, plus directement liées à la technologie hyperfréquence utilisée dans la téléphonie mobile, les satellites, les radars…et qui nécessitent des composants spécifiques comme le MESFET 4H-SiC de puissance par exemple. Néanmoins, des défauts étendus et ponctuels sont présents dans le matériau avec des densités souvent importantes. Ils ont des effets néfastes sur les caractéristiques de sorties des dispositifs et sur leurs fiabilités. Ce chapitre est consacré à l’analyse des différents effets parasites sur les caractéristiques de sortie des transistors MESFETs à substrats 4H-SiC. Nous étudierons les caractéristiques statiques de sortie des transistors et nous analyserons les différentes anomalies observées telles qu’un effet ...