Etude des défauts électriquement actifs dans les composants hyperfréquences de puissance dans les

Chapitre II Caractérisation électrique des défauts profonds Chapitre II : Techniques de caractérisation des centres profonds 58Chapitre II Caractérisation électrique des défauts profonds II.1 Introduction Toute perturbation du réseau cristallin du semiconducteur se manifeste par la présence d'états dont les niveaux d'énergie associés sont localisés dans la bande interdite. Quand ces niveaux sont proches de la bande de conduction ou de la bande de valence, ils correspondent à des impuretés dopantes qui établissent une conductivité de type respectivement N ou P. Quand ils sont proches du centre de la bande interdite, ces niveaux sont appelés pièges profonds. Ils ont une incidence directe sur les propriétés électriques du semiconducteur et des dispositifs associés. En effet, les pièges modifient de façon plus ou moins importante les propriétés de conduction et de luminescence dans les semiconducteurs : - Par leurs capacités à émettre ou à capturer les porteurs libres, ils peuvent compenser les niveaux donneurs ou accepteurs introduits intentionnellement et donc réduire la concentration des porteurs libres ainsi que leur mobilité. Pour augmenter la résistivité d'un matériau, des pièges profonds peuvent être introduits intentionnellement pour capturer les porteurs ...