Scaling of the ferroelectric field effect transistor and programming concepts for non-volatile memory applications [Elektronische Ressource] / vorgelegt von Michael Fitsilis

Scaling of the Ferroelectric Field Effect Transistor and Programming Concepts for Non-volatile Memory Applications Von der Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik der Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule Aachen zur Erlangung des akademischen Grades eines Doktors der Ingenieurwissenschaften genehmigte Dissertation vorgelegt von Diplom-Ingenieur Michael Fitsilis aus Karditsa, Griechenland Berichter: Univ.-Prof. Dr.-Ing. Rainer Waser Univ.-Prof. Dr.-Ing. Stefan Heinen Tag der mündlichen Prüfung : 17.02.2005 Diese Dissertation ist auf den Internetseiten der Hochschulbibliothek online verfügbar. i Kurzfassung Die zunehmende Bedeutung von nicht-flüchtigen Speichern für die Wissensgesellschaft im Informationszeitalter steht außer Frage. Bisher waren Speichersysteme unterteilt in schnelle jedoch flüchtige Arbeitsspeicher und langsame aber nicht-flüchtige Massenspeicher. Das langfristige Ziel ist aber der universelle Speicher, der hohe Zugriffsgeschwindigkeiten mit Nichtflüchtigkeit kombiniert. Ein Kandidat mit diesen Eigenschaften ist der ferroelektrische Feldeffekttransistor (FeFET), der Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist. Einleitend werden verschiedene nicht-flüchtige Speicherkonzepte vorgestellt.