Recombination models for defects in silicon solar cells [Elektronische Ressource] / Silke Steingrube

Recombination Models for Defectsin Silicon Solar CellsVon der Fakult at fur Mathematik und Physikder Gottfried Wilhelm Leibniz Universit at Hannoverzur Erlangung des GradesDoktorin der Naturwissenschaften- Dr. rer. nat. -genehmigte DissertationvonDipl.-Phys. Silke Steingrubegeb. Drei igackergeboren am 08.08.1982 in Hannover2011Referent: Prof. Dr. R. BrendelKorreferent: PD Dr. C. TegenkampTag der Promotion: 06.07.2011KurzfassungRekombination von Ladungstr agern ub er Defekte ist ein wesentlicher Verlustmechanis-mus in Solarzellen. In dieser Arbeit werden Rekombinationsmodelle fur drei Typenvon Defekten in Solarzellen aus kristallinem Silizium (c-Si) entwickelt und analysiert.Zun achst wird ein Modell zur Beschreibung der Injektionsabh angigkeit der e ektivenOber achenrekombinationsgeschwindigkeit S von SiN - und Al O -passivierten c-Si-e x 2 3Ober achen entwickelt. Dieses beruht auf einer gesch adigten Zone nahe der Siliziumober- ache. Es wird eine geeignete Parametrisierung erarbeitet, welche die gemessene e ektiveOber achenrekombinationsgeschwindigkeit S an den untersuchten Grenz achen bei allene relevanten Injektions- und Dotierdichten reproduzieren kann. Mit Hilfe dieses Modells wer-den m ogliche mikroskopische Ursachen fur die Sch adigung er ortert.Anschlie end wird die Grenz ache zwischen amorphem und kristallinem Silizium behan-delt.