Optoelectronic properties of size-selected silicon nanocrystals [Elektronische Ressource] / von Felix Voigt

Optoelectronic properties of size selectedsilicon nanocrystalsBei der Fakultät für Mathematik und Naturwissenschaften der Carl von Ossietzky UniversitätOldenburg zur Erlangung des Grades und Titels einesDoktors der Naturwissenschaften (Dr. rer. nat.)angenommene Dissertationvon Dipl. Phys. Felix Voigtgeboren am 02.06.1973 in München.Gutachter:Prof.Dr.G.H.BauerZweitgutachter:Prof.Dr.F.HuiskenPD.Dr.habil.A.KittelTagderDisputation:21.10.05Hiermit bestätige ich, dass ich die vorliegende Arbeit selbständig verfasst habe und nur dieangegebenen Hilfsmittel verwendet habe.CONTENTS 3ContentsAbstract 6Abbreviation and symbols 7Introduction 91 Deposition and samples 101.1 Deposition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101.2 Samples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112 Theory of quantum confinement 142.1 Spherical potential well . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152.2 Cubic potential well . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172.3 Eigen energies of electrons and holes in 3d Si quantum wells . . . . . . . . . . 202.4 Separation energies of Si nc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 212.5 Excitons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 222.6 Bloch functions in nanocrystals . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 243 Atomic Force Microscopy 283.