Optical characterization of Ge- and InGaAs-semiconductor detectors for high accuracy optical radiant power measurements in the near infrared [Elektronische Ressource] / von Marco Antonio López Ordoñez

Optical characterization of Ge- and InGaAs- semiconductor detectors for high accuracy optical radiant power measurements in the near infrared Von der Fakultät für Elektrotechnik, Informationstechnik und Physik der Technischen Universität Carolo-Wilhelmina zu Braunschweig zur Erlangung des Grades eines Doktors der Naturwissenschaften (Dr.rer.nat.) genehmigte D i s s e r t a t i o n von Marco Antonio López Ordoñez aus La Huerta, Mexiko 1. Referent: Priv. Doz. Dr. Stefan Kück 2. Referent: Prof. Dr. A. Hangleiter eingereicht am: 12. Dezember 2007 mündliche Prüfung (Disputation) am: 27. März 2008 Druckjahr: 2008 Vorveröffentlichungen der Dissertation Teilergebnisse aus dieser Arbeit wurde mit Genehmigung der Fakultät für Physik, vertreten durch den Mentor Priv. Doz. Dr. Stefan Kück, in folgenden Beiträgen vorab veröffentlicht: Publikationen: M. López, H. Hofer, K. D. Stock, J. C. Bermúdez, A. Schirmacher, F. Schneck, S. Kück, “Spectral reflectance and responsivity of Ge- and InGaAs-photodiodes in the near-infrared: measurement and model,” Appl. Opt. 46, 7337-7344 (2007). M. López, H. Hofer, S.