MOVPE growth and characterization of (In,Ga)N quantum structures for laser diodes emitting at 440 nm [Elektronische Ressource] / Veit Hoffmann. Betreuer: Michael Kneissl

Ferdinand-Braun Institut, Leibniz-Institut fur H ochstfrequenztechnikMOVPE growth and characterizationof (In,Ga)N quantum structures forlaser diodes emitting at 440 nmvorgelegt vonDiplom-PhysikerVeit Ho mannaus ChemnitzVon der Fakultat II - Mathematik und Naturwissenschaftender Technischen Universitat Berlinzur Erlangung des akademischen GradesDoktor der Naturwissenschaften- Dr. rer. nat. -genehmigte DissertationPromotionsausschuss:Vorsitzender: Prof. Dr. M. LehmannGutachter: Prof. Dr. M. Kneissl PD Dr. habil. A. DadgarGutachter: Prof. Dr. G. TrankleTag der wissenschaftlichen Aussprache: 18.04.2011Berlin 2011D83ZusammenfassungDie Arbeit beschreibt die Herstellung von nitrid-basierten Laserheterostrukturen imWellenl angenbereich zwischen 400 nm und 450 nm mittels Metallorganischer Gas-phasenepitaxie. Um Bauelemente mit niedrigen Schwellstrom bzw. - leistungsdichtenzu realisieren, wurden die Materialeigenschaften der Indiumgalliumnitrid (InGaN)Multi-Quanten lme (MQW)s in der aktiven Zone untersucht und mit den Bauele-menteigenschaften prozessierter optisch gepumpter Laserstrukturen und elektrischgepumpter Laserdioden (LD)s korreliert. Weiterhin wurde untersucht, welchen Ein- uss die Schichtstruktur der aktiven Zone und des umgebenden Wellenleiters auf dieMaterialverst arkung und die Verst arkung der Mode in der Laserstruktur hat.