MOVPE growth and characterisation of ZnO properties for optoelectronic applications [Elektronische Ressource] / von Nikolay Oleynik

MOVPE Growth and Characterisation of ZnO Properties for Optoelectronic Applications Dissertation Zur Erlangung des akademischen Grades doctor rerum naturalium (Dr. rer. nat.) genehmigt durch die Fakultät für Naturwissenschaften der Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg von Dipl. Phys. Nikolay Oleynik geboren am 25.04.1979 in Kirovskij, Gebiet Taldy-Kurgan, Kasachstan Gutachter: Prof. Dr. Alois Krost Univ. Magdeburg/FNW/Institut für Experimentelle Physik Prof. Dr. Andreas Waag Techn. Univ. Braunschweig/Institut für Halbleitertechnik eingereicht am: 06.09.2006 verteidigt am: 07.03.2007 II IIIAbstract Eine neue Methode der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) für das Wachstum und die Dotierung von hochwertigen ZnO Schichten wurde in dieser Arbeit entwickelt. ZnO ist ein potenzielles optoelektronisches Material für effektive Lichterzeugung im grünen bis ultravioletten Spektralbereich. Optoelektronische Anwendungen von ZnO erfordern Verunreinigungs-freie monokristalline Schichten mit glatter Oberfläche und niedriger Kristallgitter-Defektkonzentration. Am Anfang dieser Arbeit gab es nur wenige Berichte über MOVPE Wachstum von polykristallinem ZnO.