MOVPE and characterization of GaN-based structures on alternative substrates [Elektronische Ressource] / vorgelegt von Yılmaz Dikme

MOVPE and Characterization of GaN-based Structures on Alternative Substrates Von der Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik der Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule Aachen zur Erlangung des akademischen Grades eines Doktors der Ingenieurswissenschaften genehmigte Dissertation vorgelegt von Diplom-Ingenieur Yılmaz Dikme aus Erzincan, Türkei Berichter: Prof. Dr.-Ing. M. Heuken Prof. Dr. rer. nat. F.-J. Tegude Prof. Dr.-Ing. R. H. Jansen Tag der mündlichen Prüfung: 20.06.2006 Diese Dissertation ist auf den Internetseiten der Hochschulbibliothek online verfügbar. Güven ve desteklerini hiç esirgemeyen, ba şarıma büyük katkı sa ğlayan ve dualarıyla hep yanımda olan annem ve babama. ii Contents 1 Introduction...........................................................................................................1 1.1 Brief history of the group of III nitrides............................................................2 1.2 Structure and motivation for this work..............................................................3 2 Fundamental material properties of group III nitrides...................................5 2.1 Crystal structure and basic material properties of group III nitrides.............5 2.2 Polarization mechanisms of group III nitrides .................................................