Low temperature UHV bonding with laser pre cleaning [Elektronische Ressource] / von Alin Mihai Fecioru

Low temperature UHV bonding with laser pre-cleaning Dissertation zur Erlangung des akademischen Grades Doctor rerum naturalium (Dr. rer. nat.) vorgelegt der Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technischen Fakultät (mathematisch-naturwissenschaftlicher Bereich) der Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg von Alin Mihai Fecioru geb.: 26.02.1978 in: Vaslui Gutachter: 1. Prof. Dr. Ulrich Gösele (Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, Halle) 2. Prof. Dr. Stefan Bengtsson (Chalmers University of Technology, Göteborg) 3. PD Dr. Silke Christiansen (Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg) Halle (Saale), am 1. Februar 2006 urn:nbn:de:gbv:3-000010438[http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn=nbn%3Ade%3Agbv%3A3-000010438]Contents Contents 1. Introduction 1 2. Theoretical considerations 3 2.1. Wafer bonding…………………………………………………….…….. 3 2.1.1. Introduction…………………………..………….………………….… 3 2.1.2. Surface preparation...……………………...………………….…….. 3 2.1.3. Hydrophilic bonding……...........…………..…………………….….. 4 2.1.4. Hydrophobic bonding……………......…………..……………….…. 5 2.1.5. UHV bonding………………….……………………..…………….…. 6 2.2. Layer transfer by ion implantation and wafer bonding…............. 7 2.2.1. Basics of implantation……………………………......………….….. 8 2.2.2. Hydrogen in silicon and gallium arsenide......................................9 2.2.3. Helium in silicon and gallium arsenide………………………...….