Layer transfer of semiconductors and complex oxides by helium and,or hydrogen implantation and wafer bonding [Elektronische Ressource] / von Ionut Radu

Layer transfer of semiconductors and complex oxidesby helium and/or hydrogen implantationand wafer bondingDissertationzur Erlangung des akademischen Grades_Doctor rerum naturalium (Dr. rer. nat.)vorgelegt derMathematisch-Naturwissenschaftlich-Technischen Fakult˜at(mathematisch-naturwissenschaftlicher Bereich)der Martin-Luther-Universit˜at Halle-Wittenbergvon Herrn Ionut Radugeb.: 15.05.1976 in: CampinaGutachter:1. Prof. Dr. Heinrich Graener (Martin-Luther-Universit˜at Halle-Wittenberg)2. Prof. Dr. Ulrich G˜osele(Max-Planck-Institut fur˜ Mikrostrukturphysik)3. Prof. Dr. Siegfried Mantl (Forschungszentrum Julic˜ h, ISG1-IT)Halle (Saale), am 4 November 2003urn:nbn:de:gbv:3-000005814[http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn=nbn%3Ade%3Agbv%3A3-000005814]Contents1 Introduction 82 Layer transfer by ion implantation and wafer bonding 112.1 General features of the layer transfer process . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112.2 Ion implantation induced layer transfer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132.2.1 Hydrogen in crystalline semiconductors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142.2.2 Helium in . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152.3 Basics of blistering and splitting . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162.3.1 Onset of blistering . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162.3.2 Splitting kinetics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182.