Laterally diffused metal oxide semiconductor transistors on ultra-thin single-crystalline silicon [Elektronische Ressource] / Ali Asif. Betreuer: Joachim Burghartz

LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS ON ULTRA-THIN SINGLE-CRYSTALLINE SILICON Von der Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik der Universität Stuttgart zur Erlangung der Würde eines Doktors der Ingenieurwissenschaften (Dr.-Ing.) genehmigte Abhandlung vorgelegt von Ali Asif geboren am 04.05.1977 in Lahore, Pakistan Hauptberichter: Prof. Dr.-Ing. Joachim N. Burghartz Mitberichter: Prof. Dr.-Ing. Norbert Frühauf Tag der mündlichen Prüfung: 16.09.2011 Institut für Nano- und Mikroelektronische Systeme der Universität Stuttgart 2011 In the name of Allah, The most beneficent, The most merciful Read: In the name of thy Lord Who createth, (1) Createth man from a clot. (2) Read: And thy Lord is the Most Bounteous, (3) Who teacheth by the pen, (4) Teacheth man that which he knew not. (5) (Al-Quran,96)2 Contents Zusammenfassung .......................................................................................................... 6 Abstract .......................................................................................................................... 10 1  Introduction ....................................................................................................... 13 2  High-voltage metal-oxide-semiconductor (HVMOS) transistors .................. 18 2.1  Low-voltage MOS transistor .................................................................... 18 2.