Electronic transport properties of copper and gold at atomic scale [Elektronische Ressource] = Elektronische Transporteigenschaften von Kupfer und Gold auf atomarer Skala / vorgelegt von Saeideh Mohammadzadeh

ElectronicTransportPropertiesofCopperandGoldatAtomicScaleElektronischeTransporteigenschaftenvonKupferundGoldaufatomarerSkalaVon der Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnikder Technischen Universität ChemnitzgenehmigteDissertationzur Erlangung des akademischen GradesDoktoringenieur(Dr.-Ing.)vorgelegtvonM.Sc.SaeidehMohammadzadehgeboren am 30. Mai 1980 in Marand, Iraneingereicht am 22. April 2010GutachterProf.Dr.ThomasGessnerProf.Dr.IngridMertigTag der Verleihung: 23. November 2010To all lovely people in my lifeBibliographische BeschreibungElectronic Transport Properties of Copper and Gold at Atomic ScaleMohammadzadeh, Saeideh – 137 S., 53 Abb., 7 Tab., 125 Lit.Technische Universität Chemnitz,Fakultät für Elektrotechnik und InformationstechnikDissertation (in englischer Sprache), 2010ReferatIn der vorliegenden Arbeit werden die wesentlichen Faktoren, die die elektronischenTransporteigenschaften von Kontaktstrukturen atomarer Größe aus Kupfer bzw. Goldbestimmen, theoretisch untersucht. Untersuchungsgegenstand ist eine leitfähige Struk-tur zwischen zwei kristallinen Elektroden. Um Transportberechungen sowohl unterGleichgewichts- als auch unter Nicht-Gleichgewichts-Bedingungen durchführen zukönnen, wird die Simulations-Software gDFTB, die auf dem Nicht-Gleichgewichts-Green-funktionenformalismus in Kombination mit der Dichtefunktional-Tight-Bin-ding-Methode beruht, eingesetzt.