Electronic properties of interfaces produced by silicon wafer hydrophilic bonding [Elektronische Ressource] / Maxim Trushin. Betreuer: Jürgen Reif

Electronic properties of interfaces produced by silicon wafer hydrophilic bonding Von der Fakultät für Mathematik, Naturwissenschaften und Informatik der Brandenburgischen Technischen Universität Cottbus zur Erlangung des akademischen Grades Doktor der Naturwissenschaften (Dr. rer. nat.) genehmigte Dissertation vorgelegt von Magister in Physik Maxim Trushin geboren am 18. März 1981 in Samarkand, Uzbekistan Gutachter: Prof. Dr. rer. nat. habil. Jürgen Reif Gutachter: Prof. Dr. sc. nat. Martin Kittler Gutachter: Prof. Dr. Oleg Vyvenko Tag der mündlichen Prüfung: 15 Juli 2011 2 Contents Introduction ____________________________________________________________6 Aim of the work_________________________________________________7 Outline of the thesis______________________________________________8 Chapter 1. Fundamentals of the experimental methods used ____________________9 1.1 Metal-semiconductor contact and Schottky diode ______________________10 1.2 Details and principles of DLTS method ______________________________13 1.3 Isothermal spectroscopy (ITS) method ______________________________18 1.4 Summary for Chapter 1 __________________________________________19 Chapter 2. Electronic properties of dislocations in silicon ______________________21 2.1 Structure of Dislocations in Si _____________________________________22 2.