Electronic and structural characterizations of unreconstructed SiC(0001) surfaces and the growth of graphene overlayers [Elektronische Ressource] / vorgelegt von Konstantin Emtsev

Electronic and structural characterizations of unreconstructed SiC{0001} surfaces and the growth of graphene overlayers Der Naturwissenschaftlichen Fakultät der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg zur Erlangung des Doktorgrades vorgelegt von Konstantin Emtsev aus St.-Petersburg Als Dissertation genehmigt von der Naturwissenschaftlichen Fakultät der Universität Erlangen-Nürnberg Tag der mündlichen Prüfung: 03.06.2009 Vorsitzender der Promotionskommission: Prof. Dr. Eberhard Bänsch Erstberichterstatter: Prof. Dr. Lothar Ley Zweitberichterstatter: Prof. Dr. Klaus Heinz Contents 1 Contents Introduction........................................................................................................................3 1. Basics..............................................................................................................................7 1.1 Silicon Carbide........................................................................................................7 1.1.1 Atomic and electronic structure of SiC .........................................................7 1.1.2 Unreconstructed SiC{0001} surfaces..........................................................10 1.1.3 Reconstructed SiC{0001} surfaces .............................................................12 1.2 Graphene .....................