Electron microscopy characterization of manganese silicide layers on silicon [Elektronische Ressource] / vorgelegt von Anna Mogilatenko

Electron MicroscopyCharacterization of ManganeseSilicide Layers on Siliconvon der Fakult˜at fur˜ Naturwissenschaftender Technischen Universit˜at Chemnitzgenehmigte Dissertation zur Erlangung des akademischen Gradesdoctor rerum naturalium(Dr. rer. nat)vorgelegt von Diplom-Ingenieurin Anna Mogilatenkogeboren am 29. April 1976 in Kieweingereicht am 11. Oktober 2002Gutachter: Prof. Dr. rer. nat. habil. Hans-Jurgen˜ HinnebergProf. Dr. rer. nat. habil. Michael HietscholdProf. Dr. rer. nat. habil. Siegfried MantlTag der Verteidigung: 7. Februar 20032Bibliographische BeschreibungThema:Elektronenmikroskopische Charakterisierung von Mangansilicidschichten auf Silicium(Arbeit in Englisch)Dissertation von Diplom-Ingenieurin Anna MogilatenkoTechnische Universit˜at Chemnitz (2002)Referat:In der vorliegenden Arbeit wird die Struktur von dunnen˜ MnSi Schichten, die mit1:7verschiedenen UHV-Herstellungsmethoden (template-Verfahren, reaktive Abscheidung undsurfactant gesteuertes Wachstum) auf (001)Si hergestellt wurden, mittels Elektronen-mikroskopie charakterisiert. Die Resultate der SEM-, RBS- und XRD-Untersuchungenwerden in die Interpretation einbezogen.Die Ergebnisse der Elektronenbeugung an dunnen˜ Mangansilicid-Schichten k˜onnenvollst˜andig interpretiert werden, wenn von den bekannten h˜oheren Mangansiliciden (HMS)das Mn Si als einzige vorliegende Phase angenommen wird.