Effect of point defects and dislocations on electrical and optical properties of III-V semiconductors [Elektronische Ressource] / vorgelegt von Haile Lei

Mathematisch Naturwissenschaftlich Technische Falcult tder Martin-Luther-Universit t Halle WittenbergDissertationzur Erlangung des akademischen Gradesdoctor rerum naturalium (Dr. rer. nat.)vorgelegt vonHaile Leigeboren am 20. 08. 1975 in Mianzhu, ChinaGutachter:1. Priv.-Doz. Dr. Hartmut S. Leipner, Martin-Luther Universit t, Halle2. Prof. Dr. Ulrich M. G sele, Max-Planck Institut, Halle3. Prof. Dr. J. R. Niklas, TU Bergakademie, FreibergHalle, November 2003urn:nbn:de:gbv:3-000005620[http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn=nbn%3Ade%3Agbv%3A3-000005620]#2+(,$-%.!+/0%1 $&%'()*(;!<>=?,%@9#0:34353687 !"Raman-, Katodolumineszenz- und Transmissionselektronenmikroskopie, sowie Positronenannihi-lation wurden eingesetzt, um den Ein uss von Punktdefekten wie Dotierungsatome, Galliumleer-stellen, Leerstellenkomplexe und Versetzungen auf die elektrischen und optischen Eigenschaftender III V-Halbleiter GaAs und GaN zu untersuchen. Dabei lag der Schwerpunkt auf der Wechsel-wirkung von Punktdefekten mit Versetzungen. Ein sogenanntes Diffusions Drift Aggregrations-Modell (DDA-Modell) wurde entwickelt, um die mikroskopischen kinetischen Prozesse der Punkt-defekte bez glich ihrer Wechselwirkungen mit Versetzungen zu beschreiben. Computersimulatio-nen auf der Grundlage des DDA-Modells wurden durchgef hrt.