Complementary tunneling-FETs (CTFET) in CMOS technology [Elektronische Ressource] / Peng-Fei Wang

Technische Universität München Lehrstuhl für Technische Elektronik Fachgebiet Halbleiterproduktionstechnik Complementary Tunneling-FETs (CTFET) in CMOS Technology Peng-Fei Wang Vollständiger Abdruck der von der Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik der Technischen Universität München zur Erlangung des akademischen Grades eines Doktor-Ingenieurs genehmigten Dissertation. Vorsitzender: Univ.-Prof. P. Lugli, Ph. D. Prüfer der Dissertation: 1. Univ.-Prof. Dr. Ing. W. Hansch 2. Univ.-Prof. Dr. rer. nat. I. Eisele, Universität der Bundeswehr München Die Dissertation wurde am 10.11.2003 bei der Technischen Universität München eingereicht und durch die Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik am 10.12.2003 angenommen. to my wife Jing Zhao Abstract The short channel effects (SCE) are becoming serious problems as the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) scales down to the deep sub-micron dimension. Recently, a silicon tunneling transistor called TFET was proposed as the candidate of MOSFET. This transistor realizes the gate-controlled tunneling at room temperature. As a novel device, there are still many unknowns and challenges in the physics, fabrication, and application of TFETs.