Benchmarking surface signals when growing GaP on Si in CVD ambients [Elektronische Ressource] / von Henning Döscher

Benchmarking surface signals when growing GaP on Si in CVD ambients Dissertation zur Erlangung des akademischen Grades doctor rerum naturalium (Dr. rer. nat.) im Fach Physik eingereicht an der Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultät I der Humboldt-Universität zu Berlin von Dipl.-Phys. Dipl.-Wirt.-Inf. Henning Döscher geboren am 17.11.1980 in Bremerhaven Präsident der Humboldt-Universität zu Berlin: Prof. Dr. Christoph Markschies Dekan der Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultät I: Prof. Dr. Andreas Herrmann Gutachter: 1. Prof. Dr. W. Masselink 2. PD Dr. habil. T. Hannappel 3. Prof. Dr. W. Daum Eingereicht am: 30.07.2010 Tag der mündlichen Prüfung: 26.10.2010 IIZusammenfassung Diese Arbeit untersucht das Aufwachsen von GaP auf Si(100)-Oberflächen mittels metallorganischer Gasphasenabscheidung (MOVPE) und die damit verbundene Entstehung von Antiphasendomänen (APDs). Dünne GaP-Schichten auf Si(100)-Substraten dienen als gitter-angepasstes Modellsystem für die entscheidende III-V/Si(100)-Grenzfläche für die Herstellung Si-basierter Quasi-Substrate. Die Ver-messung der Substratoberfläche, der Grenzfläche und der heteroepitaktischen Filme, die beim Nukleationprozess entstehen, mit oberflächenempfindlichen Messverfahren dient der Etablierung der Substratbehandlung für ein nachfolgen-des GaP-Wachstums frei von APDs.