Etude et Modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe. Application à la conception

Annexe B Annexe B Les éléments du modèle intrinsèque petit signal du TBH CBCR RBB’ CB B’ C’ CRBCg .v -g .vM B’E’ D C’E’CBE RBEE’REE Figure B.1 : Modèle intrinsèque petit signal du TBH Tous les éléments du modèle intrinsèque petit signal sont obtenus à partir d’une linéarisation de tous les courants du TBH (modélisés par les quatre diodes D1, D2, D3, D4) par un développement de Taylor au premier ordre autour d’un point de polarisation donné. Chaque élément non linéaire est remplacé par son schéma équivalent petit signal. Les tensions V , V représentent les tensions continues appliquées respectivement aux B’E’0 B’C’0jonctions BE et BC. Les tensions v , v représentent les tensions alternatives appliquées respectivement aux B’E’ B’C’ La source de courant I du transistor : CT La linéarisation de cette source de courant donne : ⎡ ∂I ⎤ ⎡ ∂I ⎤CT CTI = ⋅ v − ⋅ v (B.1) CT ⎢ ⎥ B'E' ⎢ ⎥ B'C'∂V ∂V⎣ B'E' ⎦ ⎣ B'C' ⎦V VB'C' B'E' Pour décrire le courant avec une commande en v , on décompose la tension base-collecteur : C’E’v = v − v (B.2) B'C' B'E' C'E'Annexe B ⎡ ⎤ ⎡ ⎤⎡ ∂I ⎤ ⎡ ∂I ⎤ ⎡ ∂I ⎤CT CT CT⎢ ⎥ ⎢ ⎥I = + ⋅ v + − ⋅ v = g ⋅ v + g ⋅ v (B.3) CT ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ B'E' ⎢ ⎥ C'E' M B'E' D C'E'⎢ ∂V ∂V ⎥ ⎢ ∂V ⎥⎣ B'E' ⎦ ⎣ B'C' ⎦ ⎣ B'C' ⎦V V V⎣ B'C' B'E' ⎦ ⎣ B'E' ⎦ I est vue comme le somme de deux courants, l’un commandé par la tension BE dont la CTconductance ...