Etude et Modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe. Application à la conception

Liste des figures LISTE DES FIGURES Chapitre I : Du Transistor Bipolaire Si au Transistor Bipolaire à Hétérojonction Si/SiGe Figure I.1 : Représentation simplifiée 1 D du transistor bipolaire npn Figure I.2 : Diagramme de bandes d’un transistor bipolaire à l’équilibre (diagramme de gauche) et en régime direct (diagramme de droite). Figure I.3 : Courants dans un transistor bipolaire en régime direct Figure I.4 : Caractéristique de sortie d’un transistor bipolaire montrant l’effet de la modulation de la largeur de base. Figure I.5 : Représentation schématique d’un transistor bipolaire avec les différentes résistances associées Figure I.6 : Variation de la fréquence de transition en fonction du courant collecteur Figure I-7 : Diagrammes de bandes d’un transistor BJT Si (en pointillés) et d’un TBH SiGe (10% de Ge dans la base) (traits pleins) Figure I.8 : Profils de germanium dans la base Figure I.9 : Vue en coupe d’un TBH SiGe en technologie BICMOS6G de STMicroelectronics Chapitre II : Bruit basse fréquence Figure II.1 : Spectre de bruit télégraphique à deux niveaux Figure II.2 : Représentation de la chaîne de mesure de bruit RTS Figure II.3 : Courbes de Gummel d’un transistor SiGe 0.4 ×µm ×25.6µm Figure II.4 : Composante de bruit télégraphique observée à la jonction EB, V =0.56 V, T=300 K BEFigure II.5 : Densité spectrale de puissance du courant à la jonction EB, VBEFigure II.6 : (a) représentation chaîne, (b) représentation parallèle ...