Etude en radiofréquences de transistors à effet de champ MOS partiellement désertés en technologie

N° d’ordre 2006-ISAL-0010 Année 2006 Thèse Etude en radiofréquences de transistors à effet de champ MOS partiellement désertés en technologie avancée Silicium-Sur-Isolant sub-0,13 µm présentée devant L’Institut National des Sciences Appliquées de Lyon pour obtenir le grade de docteur de l'INSA Ecole doctorale : Electronique, Electro-technique, Automatique Spécialité : Dispositifs de l'électronique intégrée par Renaud DAVIOT Soutenue le 18/01/2006 devant la Commission d’examen Jury ABOUCHI Nacer Directeur de thèse BARBIER Daniel CHOUTEAU Stéphanie GRISEL Richard Rapporteur JOMAAH Jalal ROZEAU Olivier Laboratoire de Physique de la Matière N° d’ordre 2006-ISAL-0010 Année 2006 Thèse Etude en radiofréquences de transistors à effet de champ MOS partiellement désertés en technologie avancée Silicium-Sur-Isolant sub-0,13 µm présentée devant L’Institut National des Sciences Appliquées de Lyon pour obtenir le grade de docteur de l'INSA Ecole doctorale : Electronique, Electro-technique, Automatique Spécialité : Dispositifs de l'électronique intégrée par Renaud DAVIOT Soutenue le 18/01/2006 devant la Commission d’examen LISTE DES PROFESSEURS DE L'INSA DE LYON Novembre 2003 LISTE DES PROFESSEURS DE L'INSA DE LYON Institut National des Sciences Appliquées de Lyon Directeur : STORCK A. Professeurs : AMGHAR Y. LIRIS AUDISIO S. PHYSICOCHIMIE ...