1Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

Niveau: Secondaire, Lycée, Terminale
1Motorola Bipolar Power Transistor Device Data . . . for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. • Low Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A • Fast Switching Speeds • Complementary Pairs Simplifies DesignsÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ MAXIMUM RATINGS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating ÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎÎ D44H or D45H ÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 8 ÎÎÎ 10, 11 ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Emitter Voltage ÎÎ VCEO ÎÎÎÎ 60 ÎÎÎ 80 ÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter Base Voltage ÎÎ VEB ÎÎÎÎÎÎÎ 5.0 ÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Current — Continuous — Peak (1) ÎÎ IC ÎÎÎÎÎÎÎ 10 20 ÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Total Power Dissipation @ TC = 25C @ TA = 25C ÎÎ ÎÎ ÎÎ PD ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ 50 1.67 ÎÎ ÎÎ ÎÎ Watts ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Operating and Storage Junction Temperature Range ÎÎ TJ, Tstg ÎÎÎÎÎÎÎ –55 to 150 ÎÎ C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ THERMAL CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic ÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎ Max ÎÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Thermal Resistance, Junction to Case ÎÎÎÎ R?JC ÎÎÎÎ 2.5 ÎÎÎÎ C/W ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Thermal Resistance, Junction to Ambient ÎÎÎÎ

• power dissipation


• electrical characteristics


• continuous —


• maximum ratings


• bipolar power


• switching such


• such unintended


• îîî


• controlling dimension